近期，国内领先的半导体设备制造商北方华创在IEEE期刊上发布了一篇重要学术论文，宣布其在3D DRAM生产工艺上取得了显著的技术进展。该公司创新性地开发了一种新的两步循环刻蚀工艺，这一技术有望帮助长鑫存储公司有效规避EUV光刻机的限制，推动3D DRAM的自主生产。3D DRAM被广泛认为是DRAM技术发展的下一步，其主要理念是将传统的二维晶体管设计转变为三维垂直堆叠，通过多层叠加晶体管来提升存储密度。

在西方对中国EUV光刻机出口限制逐渐加紧的背景下，这一新技术为中国的存储芯片产业开辟了一条可行的路径，帮助它们绕过光刻机的技术壁垒。北方华创的技术方案专注于64层堆叠的硅与硅锗交替的3D DRAM结构。在这个制造过程中，需精准刻蚀剥离硅锗层，并在留下的硅层空隙中形成微观的字线、位线和栅极等构造。然而，在高深宽比结构下，进行横向选择性刻蚀一直是行业内的难题，常常导致硅骨架受损或不同层之间的刻蚀不均匀。

北方华创设计的两步循环刻蚀技术将整个工艺流程分为“刻”和“清”两个阶段交替进行。首先，通过无偏置的电中性氟自由基对硅锗层进行精确的定位刻蚀；接着，在第二阶段引入反应气体以清理底部的副产物沉积，确保刻蚀气体能够有效进行垂直深层穿透。根据论文中公开的数据，该工艺实现了超过500:1的硅锗与硅之间的刻蚀选择比，200纳米的夹层结构中，硅层的单次损耗控制在10埃（0.1纳米）以内。更重要的是，在64层交替结构中，刻蚀的均匀度超过了95%。

业内人士分析认为，如果长鑫存储能够将北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺整合，将显著提高其向3D DRAM自主量产的可行性。在无需依赖EUV光刻机的情况下，国产存储芯片制造商将有更大的机会继续提升产品的密度和性能。